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William威廉亚洲-我院博士生在基于MoS2/h

  

突触是构建人工神经收集芯片的焦点部件。上海理工年夜学光电学院庄松林院士领导的太赫兹科学与技术技术立异研究院课题组与中国科学院技术物理研究所胡伟达课题组相助，实现了一种基在光致掺杂效应的光电突触器件，研究结果发表于Advanced Optical Materials杂志上（DOI: 10.1002/adom.202100937）。

该结果第一作者为上海理工年夜学及中科院技术物理研究所结合造就的博士生徐梦�。锌圃杭际跷锢硌芯克牟┦可炱鸱晌浜系谝蛔髡撸以汗窆饨淌�、朱亦鸣教授以和中科院技术物理研究所的王芳博士为论文通讯作者。该事情获得国家天然科学基金委重点项目（61731020）及科学中央项目（61988102）资助。

该研究起首发现MoS2/h-BN及Graphene/h-BN场效应晶体管有相似的光致掺杂举动，同时于MoS2/h-BN的转移特征曲线中未发现较着的迟滞征象，申明光致掺杂与MoS2沟道内的缺陷或者杂质的光生载流子俘获无关，而是来历在h-BN栅层内缺陷能级的光引发。进一步与MoS2/SiO2对于比发现，MoS2/h-BN场效应晶体管的光致掺杂体现出优良的非挥发性，而MoS2/SiO2器件的光致掺杂不克不及永劫间维持。将这一差异归结为MoS2及h-BN之间存于一薄层范德华势垒。这一范德华势垒不仅使光致掺杂获得非挥发性，另有使其可以或许受栅压及光照调控。于体系分析了MoWilliam威廉亚洲-S2/h-BN场效应晶体管的光致掺杂效应以后，研究职员对于其作为突触地举动举行了表征，着重指出其持久按捺举动可以被光照及栅压结合调控。本项研究另有对于实现具备存储及逻辑功效的光电探测器有借鉴意义。

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